厚膜低阻晶片电阻|栖霞区晶片电阻|易佳电子

新元件可从3.3V、5V或12V的电源轨作业，而且当电流达到20A时，更比尺寸同为30 mm2的同类型较理想PQFN元件降低15%的损耗，使设计师能够在高电流应用内减少元件数量。与 DirectFET 系列的其他元件一样， IRL6283M 提供有效增强电气和温度效能的上层散热功能，以及旨在改善可靠性的无键合线设计。

此外 晶片电阻， DirectFET 封装符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)的所有要求，例如完全不含铅的物料清单可迎合生命周期长的设计。同类型的高效能封装包含了高铅晶片，虽然获豁免不受电子产品有害物质限制指令*7(a)项管限，但豁免将于2016年到期。IR的StrongIRFET 系列同时提供采用了工业标准占用面积的 PQFN 封装元件，并备有不含铅且符合电子产品有害物质限制指令的环保物料清单。

Vishay发布用于医疗电子和高端音响的新系列绕线电阻 

日前，Vishay Intertechnology 厚膜低阻晶片电阻， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出可用于医疗成像设备和高端音响的新系列无磁、无感轴向引线的绕线电阻---MRA系列，电阻的功率等级高达12W 薄膜晶片电阻，可在+350℃高温下工作。

       Vishay Mills MRA系列器件来自Vishay Dale电阻事业部，采用无感和全焊接结构，适用于射频和运算放大器应用，能够大大增强频率响应。结合无感的Ayrton-Perry线圈，器件几乎没有感抗和信号损失。

       电阻在25℃下的功率等级为4W～12W，温度范围-65℃～+250℃(特性U)和-65℃～+350℃(特性V)。器件的阻值为0.01Ω～85.0kΩ 晶片电阻器，公差为±1%、±5%和±10%，阻值小于0.99Ω的器件的TCR为±90ppm/℃，1.0Ω～9.9Ω的器件为±50ppm/℃，10Ω及以上的器件为±30ppm/℃。

       MRA电阻符合RoHS指令和Vishay绿色标准。